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J-GLOBAL ID：200903060872016803

半導体発光素子の製造方法

Inventor： 福島 淳
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991155048
Publication number (International publication number)：1993007019
Application date： Jun. 27, 1991
Publication date： Jan. 14, 1993
Summary：

【要約】【目的】 メサ型の半導体発光素子の製造方法において、ショートを減らし歩留りを上げる。【構成】 InGaAsPを活性層3とするメサ型の半導体発光素子において、ドライエッチング技術を用いてp型電極を形成することにより、p型オーミック電極7を目合わせ露光なしに形成できる。これにより、ショートがなくなり、歩留りが向上する。特にアレイ素子の歩留りが2倍に改善できる。

Claim (excerpt)：

メサ型の発光領域を有する半導体発光素子の製造方法において、基板上に活性層を含む半導体層を形成する工程とP+ 領域を拡散によって作製する拡散工程と、発光領域をメサ形状に選択エッチングを行うエッチング工程と、パッシベーション膜を成膜する成膜工程と、メサ上部にp型電極を形成するための、パッシベーション膜のパターニングをドライエッチングにより行なう工程と、p型及びn型のオーミック電極とアロイをそれぞれ行う工程と、金バンプを形成する工程と、半導体基板を薄くする研磨工程とを有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。