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J-GLOBAL ID：200903060891192221

気相エピタキシャル成長装置

Inventor： 澤田 亮 ,  江部 広治
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992001193
Publication number (International publication number)：1993190454
Application date： Jan. 08, 1992
Publication date： Jul. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】 気相エピタキシャル成長装置に関し、均一な厚さのエピタキシャル結晶が容易に確実に得られる装置を目的とする。【構成】 反応管1内に、エピタキシャル成長用の基板6を載置した基板加熱台5を設置し、前記反応管1内にエピタキシャル成長用ガスを供給し、該ガスの加熱分解により基板6上にエピタキシャル結晶を成長する装置に於いて、前記基板6のガス上流側端部6A近傍の位置に対応する該反応管1の断面積を、前記基板6のガス下流側端部6B近傍の位置に対応する反応管1の断面積より小さく保つことで構成する。

Claim (excerpt)：

反応管(1) 内に、エピタキシャル成長用の基板(6) を載置した基板加熱台(5) を設置し、前記反応管(1) 内にエピタキシャル成長用ガスを供給し、該ガスの加熱分解により基板(6) 上にエピタキシャル結晶を成長する装置に於いて、前記基板(6) のガス上流側端部(6A)近傍の位置に対応する該反応管(1) の断面積を、前記基板(6) のガス下流側端部(6B)近傍の位置に対応する反応管(1) の断面積より小さく保つことを特徴とする気相エピタキシャル成長装置。