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J-GLOBAL ID：200903060892575973

低切替磁界磁性トンネル接合

Inventor：
ユージーン・チェン

About ユージーン・チェン

, 
サイエド・エヌ・テラニ

About サイエド・エヌ・テラニ


Applicant, Patent owner：
モトローラ・インコーポレイテッド

About モトローラ・インコーポレイテッド


Agent (1)： 大貫 進介 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000560586
Publication number (International publication number)：2002520873
Application date： Jul. 19, 1999
Publication date： Jul. 09, 2002
Summary：
【要約】厚みの異なる第1および第2抗磁層とその間に挟まれた非磁性導電層とを有して対の層の磁気ベクトルが磁界を印加されない場合は逆平行になる反強磁性結合構造と、磁気ベクトルを有する抗磁構造と、反強磁性結合構造と抗磁構造との間に挟まれる絶縁材料とを備えて、磁性トンネル接合を形成する低切替磁界磁性トンネル接合メモリ・セルである。
Claim (excerpt)：
第1(17)および第2(18)抗磁層を備え、第1非磁性導電層(19)を前記第1および第2抗磁層の間に平行並置する第1反強磁性結合多層構造(15)であって、前記第1抗磁層が第1磁気ベクトル(20)を、前記第2抗磁層が第2磁気ベクトル(21)を有し、前記第1および第2磁気ベクトルが磁界が印加されない場合は逆平行になり、前記第1抗磁層は前記第2抗磁層の前記第2磁気ベクトルとは異なる磁界強度において前記第1磁気ベクトルの方向を切り替えるよう構築される第1反強磁性結合多層構造(15); 前記第1反強磁性結合多層構造の前記第1および第2磁気ベクトルの一方と平行な磁気ベクトル(28)を有する少なくとも1つの抗磁層(26)を備える第2構造(12);および 前記第1および第2構造の間に平行並置されて抗磁性トンネル接合部を形成する絶縁材料(13); によって構成されることを特徴とする低切替磁界磁性トンネル接合メモリ・セル(10)。
IPC (5)：
H01L 27/105 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12
FI (5)：
G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/12 ,  H01L 27/10 447
F-Term (1)：
5F083FZ10
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)

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