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J-GLOBAL ID：200903060908822380
半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993251253
Publication number (International publication number)：1995106453
Application date： Oct. 07, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：
【要約】【目的】シリコンホモ接合バイポーラトランジスタとシリコンヘテロ接合バイポーラトランジスタの両者とCMOSトランジスタを備えた有効な半導体装置を供給する。【構成】ホモ接合およびヘテロ接合の2種類のバイポーラトランジスタとMOSトランジスタを備えたBiCMOS半導体装置において、上記ヘテロ接合バイポーラトランジスタは該トランジスタの遮断周波数対コレクタ電流特性において遮断周波数の最大値となるコレクタ電流以下で主に動作する回路に用い、上記ホモ接合バイポーラトランジスタは該トランジスタ遮断周波数の最大値となるコレクタ電流以上で主に動作する回路に用いる。
Claim (excerpt)：
複数のバイポーラトランジスタと絶縁ゲート電界効果トランジスタとを同一基板上に備えたBiCMOSの半導体装置において、複数のバイポーラトランジスタとしてホモ接合バイポーラトランジスタとヘテロ接合バイポーラトランジスタの2種類のバイポーラトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L 21/8249
, H01L 27/06
H01L 27/06 321 B
, H01L 27/06 321 G
