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J-GLOBAL ID：200903060912842728

ヒートスプレッダおよびこれを用いた半導体装置ならびにヒートスプレッダの製造方法

Inventor： 熊本 晋吾 ,  沖川 進 ,  岸上 一郎 ,  山田 英矢
Applicant, Patent owner： 日立金属株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998148377
Publication number (International publication number)：1999330325
Application date： May. 13, 1998
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 低熱膨張特性と、高熱伝導特性を有するヒートスプレッダ及びこれを用いた半導体装置並びにヒートスプレッダの製造方法を提供する。【解決手段】 Cuを主体とする金属とFeを主体とする金属を拡散接合させた複合材であるヒートスプレッダにおいて、前記Cuを主体とする金属の拡散接合界面に形成された拡散層の厚さが1μm以上20μm以下、もしくは前記Cuを主体とする金属の層の厚さの0.4%以上8%以下に制御されているヒートスプレッダであり、上述した拡散接合を行なうための熱間静水圧プレス温度は650°C〜900°Cで行なうことにより、150W/m・K以上の高熱伝導率と低熱膨張特性が得られる。

Claim (excerpt)：

Cuを主体とする金属とFeを主体とする金属を拡散接合させた複合材であって、前記Cuを主体とする金属側の拡散接合界面に形成された拡散層の厚さが1μm以上20μm以下であることを特徴とするヒートスプレッダ。

IPC (3)：

H01L 23/373 ,  B23K 20/00 310 ,  B23K 20/00

FI (4)：

H01L 23/36 M ,  B23K 20/00 310 L ,  B23K 20/00 310 H ,  B23K 20/00 310 G