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J-GLOBAL ID：200903060920283576

半導体装置

Inventor： 管野 利夫 ,  津久井 誠一郎 ,  酒井 修
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立東部セミコンダクタ株式会社
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997012573
Publication number (International publication number)：1997191075
Application date： Dec. 26, 1988
Publication date： Jul. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】 半導体装置であるメモリ・モジュールの設計仕様の変更に柔軟に対応する。【解決手段】 半導体装置であるメモリ・モジュール1dのワード・ビット構成をジャンパチップによって変更可能とした。

Claim (excerpt)：

少なくとも2以上のメモリを配線基板面上に搭載し、搭載されたメモリ同士を電気的に接続する配線を備え、外部装置との電気的な接続のために前記配線基板面上に配置された複数の外部端子を備える半導体装置であって、前記少なくとも2以上のメモリの各々の同一機能の制御端子と前記外部端子との接続状態を面実装形の導通手段によって変更することにより、前記少なくとも2以上のメモリの各々の制御端子を互いに電気的に接続して共通の外部端子として引き出す構造とするのか、前記少なくとも2以上のメモリの各々の制御端子を別々の外部端子として引き出す構造とするのかについての機能の変更が可能なように、前記配線基板面上に端子電極を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 25/04 ,  H01L 25/18 ,  G11C 5/00 301 ,  H05K 1/11

FI (3)：

H01L 25/04 Z ,  G11C 5/00 301 B ,  H05K 1/11 A