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J-GLOBAL ID：200903060927303360

放射線検出素子アレイ

Inventor：
佐藤 賢治

About 佐藤 賢治


Applicant, Patent owner：
株式会社島津製作所

About 株式会社島津製作所


Agent (1)： 西岡 義明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997357932
Publication number (International publication number)：1999183626
Application date： Dec. 25, 1997
Publication date： Jul. 09, 1999
Summary：
【要約】【目的】 大面積で、かつ、最適な成膜条件で作製される放射線有感層を有する放射線検出素子アレイを、低コストで提供する。【構成】 表裏両面もしくは裏面のみに電極3を形成したSi等の硬質導電性平板1の表面上に、CdTe、CdZnTe、GaAs、HgI2 等の半絶縁性化合物半導体膜4を、CVD、もしくは、蒸着等の気相成膜法を用いて形成する。次に、前記半絶縁性化合物半導体膜上に、複数個の信号取り出し電極5を形成し、所定のサイズに切り出して放射線検出素子アレイチップ6とする。
Claim (excerpt)：
単一の共通電極と複数個の信号取り出し電極との間に設けられた放射線に有感な半導体層からなる放射線検出素子アレイにおいて、表裏両面もしくは裏面のみに電極を形成した硬質導電性平板を、その表面上に形成する化合物半導体膜からなる放射線有感半導体層の基盤とするとともに、バイアス供給用の共通電極として使用することを特徴とする放射線検出素子アレイ。
IPC (3)：
G01T 1/24 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/09
FI (3)：
G01T 1/24 ,  H01L 27/14 K ,  H01L 31/00 A
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
  • 特開平3-190285
  • 特開平3-190285
  • 特開平3-273687
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