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J-GLOBAL ID：200903060981665080

光電気変換素子

Inventor： 石橋 忠夫 ,  伊藤 弘
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 和泉 良彦 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001020116
Publication number (International publication number)：2002222984
Application date： Jan. 29, 2001
Publication date： Aug. 09, 2002
Summary：

【要約】【課題】UTC-PDのセルフバイアス効果の不均一な発生による出力飽和電流の低下を改善する。【解決手段】順次積層されたp形拡散ブロック層11、p形拡散ブロック層11よりも光吸収端エネルギーが小さいp形光吸収層12、p形光吸収層12よりも光吸収端エネルギーが大きい低濃度n形キャリア走行層13、p形光吸収層12よりも光吸収端エネルギーが大きいn形コンタクト層14がpn接合ダイオードを構成し、当該pn接合ダイオードのp形拡散ブロック層11にp形金属電極15が接続され、n形コンタクト層14にn形金属電極16が接続され、p形光吸収層12の不純物濃度が、中心から周辺部に向かって低くなる面内分布1を持つ。

Claim (excerpt)：

順次積層されたp形の第1の半導体層、前記第1の半導体層よりも光吸収端エネルギーが小さいp形の第2の半導体層、前記第2の半導体層よりも光吸収端エネルギーが大きいn形の第3の半導体層、前記第2の半導体層よりも光吸収端エネルギーが大きいn形の第4の半導体層がpn接合ダイオードを構成し、当該pn接合ダイオードの前記第1の半導体層にp形金属電極が接続され、前記第4の半導体層にn形金属電極が接続された半導体素子であって、前記第2の半導体層の不純物濃度が、中心から周辺部に向かって低くなる面内分布を持つことを特徴とする光電気変換素子。

F-Term (5)：

5F049MA03 ,  5F049MB07 ,  5F049NA03 ,  5F049NB01 ,  5F049QA20