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J-GLOBAL ID：200903060983522880

半導体装置

Inventor： 菅原 裕彦
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993191847
Publication number (International publication number)：1995029906
Application date： Jul. 07, 1993
Publication date： Jan. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 金の有する低抵抗率の利点を活かしつつ、周囲の他の材料への金原子の移動を阻止し、高速動作および高信頼性を同時に満足させる。また、製作プロセス上の温度の制約を緩和し、製作プロセスの自由度を向上させる【構成】 Au層2と、このAu層2の周囲材料としてのシリコン基板1および絶縁層51,52との界面には約800°Cまで金の拡散を阻止する性質を有するシリコンおよび窒素を含む金属化合物としてのWSiN層61,62が形成されている。つまり、シリコン基板1および絶縁層51,52に囲まれるAu層2がその全周囲をWSiN層61,62により囲まれて構成されることによって金原子のシリコン基板1および絶縁層51,52への移動が阻止される。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に少なくとも電極層,配線層が形成された半導体装置において、前記電極層,配線層の少なくとも一部が金または金合金から構成され、前記金または金合金がその周囲の他の材料と接する部分が少なくともシリコンおよび窒素を含む金属化合物により構成されることを特徴とする半導体装置。

FI (2)：

H01L 21/88 M ,  H01L 21/88 Q