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J-GLOBAL ID：200903060984371550

バイポーラ形静電誘導トランジスタ

Inventor： クライソン トロンナムチャイ ,  村上 善則 ,  三原 輝儀
Applicant, Patent owner： 日産自動車株式会社
Agent (1)： 笹島 富二雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993312075
Publication number (International publication number)：1995169778
Application date： Dec. 13, 1993
Publication date： Jul. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】バイポーラ形静電誘導トランジスタにおいて、チャネル領域を基板と平行方向に形成することで、チャネル長Lを大きく、チャネル幅Wを小さくすることを可能として、L/Wを十分大きくしてブロック能力を向上させることを目的とする。【構成】基板2上に形成したドリフト領域1内に、基板2に平行な埋め込み絶縁膜5を形成し、ドリフト領域1表面と埋め込み絶縁膜5との間の領域にエミッタ領域4を形成し、埋め込み絶縁膜5の穴5Aを貫通させてベース領域3を形成し、埋め込み絶縁膜5の他方の穴5B側のドリフト領域1表面に、ゲート絶縁膜6と仕事関数差調整層7を積層形成し、埋め込み絶縁膜5との間にチャネル領域8を形成し、仕事関数差調整層7をエミッタ領域4と電気的に接続する。

Claim (excerpt)：

基板をコレクタ領域とし、該基板上に、当該基板より低不純物濃度で同じ電導形のドリフト領域を形成し、該ドリフト領域内に、複数の開口部を有する第1絶縁層をドリフト領域表面に対して平行方向に埋設し、前記複数の開口部間の第1絶縁層部分とドリフト領域表面とで挟まれた領域の一部に前記基板と同じ電導形のエミッタ領域をドリフト領域表面から形成し、該エミッタ領域を挟んで一側の第1絶縁層の開口部上方のドリフト領域表面から当該開口部を貫通させるようドリフト領域と異なる電導形のベース領域を形成し、前記エミッタ領域と第1絶縁層の他側の開口部との間の第1絶縁層上方のドリフト領域表面上に第2絶縁層及び仕事関数差調整層を順次積層形成し、前記仕事関数差調整層を前記エミッタ領域と電気的に接続する構成であることを特徴とするバイポーラ形静電誘導トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/06