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J-GLOBAL ID：200903060992970551
半導体装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
河村 洌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999103274
Publication number (International publication number)：2000294778
Application date： Apr. 09, 1999
Publication date： Oct. 20, 2000
Summary：
【要約】【課題】 チップ面積を大きくすることなく、チップの空いている部分を利用して2か所に亘ってダイオードを設けることにより、その数を増やし、高い耐圧の保護ダイオードを有する半導体装置を提供する。【解決手段】 1つの電極パッド(ゲート電極パッドG)の外周部にリング状のn形層1aとp形層1bとが交互に設けられることにより形成される第1の保護ダイオード部1と、チップの外周部にポリシリコン膜によりリング状のn形層2aとp形層2bとが交互に設けられることにより形成される第2の保護ダイオード部2とが配線3により直列に接続されている。
Claim (excerpt)：
電極間に印加される一定電圧以上の入力をブレークダウンさせる保護ダイオードが前記電極間に設けられる半導体装置であって、前記電極の1つの電極パッドを形成するポリシリコン膜の外周部にリング状のp形層とn形層とが交互に設けられることにより形成される第1の保護ダイオード部と、チップの外周部の表面にポリシリコン膜によりリング状のp形層とn形層とが交互に設けられることにより形成される第2の保護ダイオード部とが直列に接続されてなる半導体装置。
FI (3)：
H01L 29/78 657 B
, H01L 29/78 652 K
, H01L 29/78 655 A
