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J-GLOBAL ID：200903060993514487

強誘電体薄膜およびその製造方法

Inventor： 笹村 茂 ,  白川 幸彦 ,  山本 恭之 ,  川口 行雄
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Agent (1)： 石井 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994172020
Publication number (International publication number)：1996017245
Application date： Jun. 30, 1994
Publication date： Jan. 19, 1996
Summary：

【要約】【目的】 残留分極値が大きく、かつ誘電率が低い強誘電体薄膜を提供する。【構成】 焼結ターゲットを用いてスパッタ法により形成した薄膜に500〜750°Cで熱処理を施すことにより、式 Bix Fey O3(上記式において、x/y=0.9〜1.8、x+y=2である)で表わされる組成を有し、ペロブスカイト相を含み、残留分極値が2μC/cm2以上で比誘電率が100以下である強誘電体薄膜を作製する。

Claim (excerpt)：

式 Bix Fey O3(上記式において、x/y=0.9〜1.8、x+y=2である)で表わされる組成を有し、ペロブスカイト相を含み、残留分極値が2μC/cm2以上であることを特徴とする強誘電体薄膜。

IPC (3)：

H01B 3/12 318 ,  C01G 49/00 ,  H01B 3/00