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J-GLOBAL ID:200903061008245910

半導体ウエハのダイシング方法及び該方法に用いる粘着フィルム

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997015296
Publication number (International publication number):1998214800
Application date: Jan. 29, 1997
Publication date: Aug. 11, 1998
Summary:
【要約】【課題】 粘着力が経時変化せず、紫外線を照射した際には粘着力が適度に低下する特性を有する粘着フィルムを用いる半導体ウェハのダイシング方法、及び該方法に使用する粘着フィルムを提供する。【解決手段】 基材フィルムの片表面に紫外線硬化型粘着剤層が形成された粘着フィルムを、半導体ウェハの裏面に貼付して半導体ウェハをダイシングし、その後紫外線を照射し、次いで粘着フィルムを剥離する半導体ウェハのダイシング方法であって、該基材フィルムがフタロシアニン系色素を含有し、波長域320〜380nmの全域における光線透過率が60%以下、該波長域の少なくとも一部における光線透過率が20%以上であり、且つ、厚みが30〜500μmである半導体ウェハのダイシング方法、及びその方法に使用する粘着フィルム。
Claim (excerpt):
基材フィルムの片表面に紫外線照射により硬化する性質を有する粘着剤層が形成された粘着フィルムを、その粘着剤層を介して半導体ウエハの裏面に貼付して該半導体ウエハを素子小片に分割し、分割終了後に該粘着フィルム側から紫外線を照射し、次いで、該粘着フィルムから、素子小片を取り出す半導体ウエハのダイシング方法であって、該基材フィルムが、フタロシアニン系色素を含有し、波長域320〜380nmの全域における光線透過率が60%以下、該波長域の少なくとも一部における光線透過率が20%以上であり、且つ、厚みが30〜500μmであることを特徴とする半導体ウエハのダイシング方法。
IPC (3):
H01L 21/301 ,  C09J 5/00 ,  C09J 7/02
FI (3):
H01L 21/78 M ,  C09J 5/00 ,  C09J 7/02 Z

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