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J-GLOBAL ID：200903061008487400

半透過半反射型電極基板の製造方法

Inventor： 井上 一吉
Applicant, Patent owner： 出光興産株式会社
Agent (1)： 伊藤 充
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003027999
Publication number (International publication number)：2004240091
Application date： Feb. 05, 2003
Publication date： Aug. 26, 2004
Summary：

【課題】選択的にエッチングできるエッチング液を用いて、半透過半反射型電極基板の製造工程を簡略化し、煩雑な繰り返し作業を回避することによって時間的なロスを発生しない工程とし、半透過半反射型電極基板を効率的に提供することである。【解決手段】少なくとも酸化インジウムからなる金属酸化物層12と、少なくともAlまたはAgからなる無機化合物層14と、をこの順で積層した半透過半反射型電極基板を製造する方法であって、前記無機化合物層14を燐酸、硝酸、酢酸からなるエッチング液λでエッチングする工程と、前記金属酸化物層12を蓚酸を含むエッチング液σでエッチングする工程によって半透過半反射型電極基板を製造する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

少なくとも酸化インジウムからなる金属酸化物層と、少なくともAlまたはAgからなる無機化合物層と、をこの順で積層した半透過半反射型電極基板を製造する方法であって、 前記無機化合物層を燐酸、硝酸、酢酸からなるエッチング液λでエッチングする工程と、 前記金属酸化物層を蓚酸を含むエッチング液σでエッチングする工程と、 からなることを特徴とする半透過半反射型電極基板の製造方法。

IPC (3)：

G02F1/1343 ,  G02F1/1335 ,  H01B13/00

FI (3)：

G02F1/1343 ,  G02F1/1335 520 ,  H01B13/00 503D

F-Term (12)：

2H091FA15Y ,  2H091FB08 ,  2H091FD04 ,  2H091GA02 ,  2H091LA12 ,  2H092GA17 ,  2H092HA04 ,  2H092HA05 ,  2H092MA18 ,  2H092NA27 ,  2H092PA12 ,  5G323CA01