Pat

J-GLOBAL ID：200903061014211734

窒化ガリウム系化合物半導体の電極形成方法

Inventor： 山田 元量 ,  妹尾 雅之 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993085492
Publication number (International publication number)：1994275868
Application date： Mar. 19, 1993
Publication date： Sep. 30, 1994
Summary：

【要約】【目的】 p-n接合型の窒化ガリウム系化合物半導体を利用した発光素子の発光出力、発光効率を向上させるための窒化ガリウム系化合物半導体のn型層、およびp型層とオーミック接触が得られる電極の形成方法を提供する。【構成】 電子キャリア濃度1×1017/cm3以上のn型窒化ガリウム系化合物半導体、または電子キャリア濃度1×1015/cm3以上のp型窒化ガリウム系化合物半導体に、クロムおよび/またはニッケルを含む合金、または該金属を付着した後、アニーリングする。

Claim (excerpt)：

電子キャリア濃度1×1017/cm3以上のn型窒化ガリウム系化合物半導体、または正孔キャリア濃度1×1015/cm3以上のp型窒化ガリウム系化合物半導体に、クロムおよび/またはニッケルを含む合金、または該金属を付着した後、アニーリングすることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の電極形成方法。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭49-029771
  
• 特開平4-213878
  
• 特開平4-068579