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J-GLOBAL ID：200903061015953173

横方向に結晶化した多結晶SI膜の品質の均一性を向上させるマスクパターン設計

Inventor： アポストロス ボウトサス
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001394940
Publication number (International publication number)：2002261016
Application date： Dec. 26, 2001
Publication date： Sep. 13, 2002
Summary：

【要約】【課題】 TFTの1つのセットの理想的な配向とTFTの別のセットの理想的な配向との間で妥当な配向である多結晶領域の優勢な結晶配向を提供すること。【解決手段】 基板上に薄膜トランジスタ(TFT)を形成する方法は、基板を選択する工程と、アモルファスシリコン膜を基板上に堆積する工程と、アモルファスシリコン膜の第1の領域にスリット配向を有するマスクを介してレーザーパルスを方向付け、第1の領域が第1の結晶領域を形成するように結晶化される工程と、第1の結晶領域と重複する第2の領域に向かってマスクを位置付けするように、スリット配向に対して垂直でない方向にマスクを移動させる工程と、第2の領域にマスクを介してレーザーパルスを方向付け、それにより第1の結晶領域は、第2の結晶領域の結晶化の間に、結晶種として機能する工程とを包含する。

Claim (excerpt)：

基板上に薄膜トランジスタ(TFT)を形成する方法であって、a)基板を選択する工程と、b)アモルファスシリコン膜を該基板上に堆積する工程と、c)該アモルファスシリコン膜の第1の領域にスリット配向を有するマスクを介してレーザーパルスを方向付け、該第1の領域が第1の結晶領域を形成するように結晶化される工程と、d)該第1の結晶領域と重複する第2の領域に向かって該マスクを位置付けするように、該スリット配向に対して垂直でない方向に該マスクを移動させる工程と、e)該第2の領域に該マスクを介してレーザーパルスを方向付け、それにより該第1の結晶領域は、第2の結晶領域の結晶化の間に、結晶種として機能する工程とを包含する方法。

IPC (4)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (3)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 29/78 627 G

F-Term (30)：

2H092JA24 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA07 ,  2H092MA30 ,  2H092NA24 ,  5F052AA02 ,  5F052BA01 ,  5F052BA12 ,  5F052BA18 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052FA02 ,  5F052FA19 ,  5F052HA01 ,  5F052JA01 ,  5F110AA30 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD04 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG17 ,  5F110GG23 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP23 ,  5F110PP36 ,  5F110PP40