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J-GLOBAL ID:200903061018597335
イオン伝導性高分子およびその製造方法ならびにその処理方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
磯野 道造
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001340405
Publication number (International publication number):2003138142
Application date: Nov. 06, 2001
Publication date: May. 14, 2003
Summary:
【要約】【課題】 イオン伝導性高分子に対して、金属塩の分散性を高めるための処理を施すことにより、そのイオン伝導性能を向上させ、ゲル状のイオン伝導性高分子と同等以上のイオン伝導性能を有する固体状のイオン伝導性高分子およびその製造方法ならびに処理方法を提供する。【解決手段】 所定の高分子に所定の金属塩が配合されて構成されたイオン伝導性高分子に対して超臨界CO2流体を接触させる処理を施す。このような超臨界CO2流体処理が施されたイオン伝導性高分子は、高分子マトリックス中に前記金属塩の分散特性が改善されるので、イオン伝導性能が著しく向上された固体状のイオン伝導性高分子が具現される。
Claim (excerpt):
所定の高分子に金属塩が配合されたイオン伝導性高分子であって、前記イオン伝導性高分子は、超臨界CO2流体で所定時間、接触処理されたことを特徴とするイオン伝導性高分子。
IPC (11):
C08L101/00
, C08J 3/20
, C08J 5/22
, C08J 7/00
, C08K 3/16
, C08K 3/22
, C08K 3/36
, C08K 5/42
, C08L 55/00
, H01B 1/06
, H01M 10/40
FI (11):
C08L101/00
, C08J 3/20 A
, C08J 5/22
, C08J 7/00 Z
, C08K 3/16
, C08K 3/22
, C08K 3/36
, C08K 5/42
, C08L 55/00
, H01B 1/06 A
, H01M 10/40 B
F-Term (53):
4F070FA04
, 4F070FB10
, 4F071AA12
, 4F071AA29
, 4F071AA37
, 4F071AA44
, 4F071AA51
, 4F071AA67
, 4F071AB15
, 4F071AB18
, 4F071AB25
, 4F071AB26
, 4F071AC14
, 4F071AE15
, 4F071AF37
, 4F071AH15
, 4F071FA05
, 4F071FB01
, 4F071FC01
, 4F071FD05
, 4F073BA04
, 4F073BA17
, 4F073BA23
, 4F073BA27
, 4F073BA32
, 4F073BA33
, 4F073BA34
, 4F073BB01
, 4F073DA09
, 4J002AC031
, 4J002AC061
, 4J002BC121
, 4J002BE021
, 4J002BJ001
, 4J002CF031
, 4J002CH021
, 4J002CM011
, 4J002CP031
, 4J002DD036
, 4J002DD086
, 4J002DE196
, 4J002DH006
, 4J002EV256
, 4J002FD116
, 4J002GQ02
, 5G301CA30
, 5G301CD01
, 5G301CE10
, 5H029AJ06
, 5H029AJ15
, 5H029AM12
, 5H029AM16
, 5H029CJ25
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
-
複合電解質
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-134604
Applicant:財団法人かがわ産業支援財団, 近藤化学工業株式会社
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