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J-GLOBAL ID:200903061036028941

プラズマ処理装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 大島 陽一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993082679
Publication number (International publication number):1994272035
Application date: Mar. 16, 1993
Publication date: Sep. 27, 1994
Summary:
【要約】【目的】 内部温度の過度な上昇を防止することができ、しかもチャージアップによるダメージを低減することができるプラズマ処理装置を提供する。【構成】 筒状チャンバ1の外側に高周波発振器5に接続する外部電極6を配置し、外部電極と電気的に絶縁され、かつ多数の小孔8が形成された内部電極7を筒状チャンバの内側に同軸状に配置したプラズマ処理装置の構成を、内部電極自体を冷却するための冷却媒体を有するものとする。これに加えて、内部電極を内外二重の第1内部電極7aと第2内部電極7bとで構成し、筒状チャンバの一方の開口を閉塞するチャンバプレート2にて第1内部電極を支持し、筒状チャンバの他方の開口を閉塞するチャンバプレート3にて第2内部電極を支持するものとする。【効果】
Claim (excerpt):
筒状チャンバと、該筒状チャンバの外側に配置され、かつ高周波発振器に接続される外部電極と、前記筒状チャンバの内側に同軸状に配置され、かつ多数の小孔が形成された内部電極とを有するプラズマ処理装置に於て、前記内部電極を冷却する冷却手段を具備することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (5):
C23C 14/34 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/31

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