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J-GLOBAL ID：200903061039586872

プラズマCVDによる成膜方法

Inventor： 渡邊 久
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 井上 雅生
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993104907
Publication number (International publication number)：1994299358
Application date： Apr. 08, 1993
Publication date： Oct. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、プラズマCVDの特徴である低基板温度を維持したまま、高成膜速度のプラズマCVDによる成膜方法を提供する。【構成】 不活性ガスを原料ガスと混合して供給し、全圧Pt(torr)と不活性ガス混合割合A(%)が10.2≦Pt≦100かつ、1≦A<100×(1-10/Pt)の条件で低温プラズマを発生させて成膜することにより、従来原料ガスのみで行っていたプラズマCVDの圧力よりも高圧力下でプラズマを発生でき、高速成膜できる。しかも原料ガスはプラズマで活性化されているので成膜は熱CVDよりも低温でできる。

Claim (excerpt)：

不活性ガスを原料ガスと混合して供給し、全圧Pt(torr)と不活性ガス混合割合A(%)が【数1】10.2≦Pt≦100【数2】1≦A<100×(1-10/Pt)の条件で低温プラズマを発生させて成膜することを特徴とするプラズマCVDによる成膜方法。

IPC (2)：

C23C 16/50 ,  H01L 21/205