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J-GLOBAL ID：200903061048241519

半導体装置

Inventor： 伊東 修 ,  宮本 誠司 ,  宇田 隆之 ,  佐藤 俊彦 ,  林田 哲哉
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 秋田 収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995004557
Publication number (International publication number)：1996195466
Application date： Jan. 17, 1995
Publication date： Jul. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】 パッケージと配線基板との熱膨張係数が異なっていても、熱歪を緩和して、ピンの接続部の疲労破断を防止することが可能な技術を提供する。【構成】 面実装型のPGAを有するLSIにおいて、パッケージ2の底面2Aから取り出された複数のピン3は、他の部分3Bよりピン径が小さくて弾力性に富んだ歪吸収部として働く小径部3Aを有している。ピン3の小径部3Aが弾力性に富んでいるため、熱歪を受けても小径部3Aが左右方向に変形することにより、熱歪は吸収されるようになる。この結果、熱歪は緩和されてピン3の先端部分の接続部には集中しないので、ピン3の接続部に疲労破断は生じない。

Claim (excerpt)：

パッケージの底面から複数のピンが取り出されてなる半導体装置において、前記ピンは、少なくとも一部分に弾力性に富んだ歪吸収部を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 23/50 ,  H01L 23/12