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J-GLOBAL ID：200903061051160287

シリンダー型シリコンエピタキシャル層成長装置

Inventor： 太田 豊 ,  保科 祐章
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 舘野 公一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992282551
Publication number (International publication number)：1994112126
Application date： Sep. 28, 1992
Publication date： Apr. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 シリンダー型シリコンエピタキシャル層成長装置においてエピタキシャル層成長後、基板とサセプタとの貼り付きに起因する基板クラックの発生を防止できるサセプタを簡単な構成で提供する。【構成】 サセプタ1の基板保持用ポケット2の内周面5に突起部4を複数設ける。サセプタ1の母材および突起部4の素地はカーボン材で一体形成し、これらに同時にSiCコートを施してサセプタ1とする。突起部4はサセプタ1の上面1aをポケット2内に略半円状に延設して形成する。突起部4はポケット底面3、ポケット底面3外周部の溝のいずれよりも面が高いので、基板21の周面と当接してこれを保持することができる。

Claim (excerpt)：

シリコン単結晶基板保持用のポケットを備えたサセプタをシリンダー型の反応管内に設けるエピタキシャル成長装置において、前記ポケット底面外周部に環状溝を有し、該ポケット内周の下半分においてポケットの中心を通る垂直線に対し左右対称になるよう突起が設けられ、該突起の間隔が該シリコン基板の外周長の1/20〜1/5であり、該ポケット中心方向への該突起の高さが該シリコン基板装填時にその外周と該ポケット内周との間隔が少なくとも0.5mm以上であるように選ばれ、該突起によって該シリコン基板を保持しうるようにしたことを特徴とする、シリンダー型シリコンエピタキシャル層成長装置。