トンネル磁気抵抗効果型ヘッド

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：皿田秀夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999171869
Publication number (International publication number)：2001006127
Application date： Jun. 18, 1999
Publication date： Jan. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】 TMR変化率の低下がなく、超高密度記録に適用できるよう高いヘッド出力が得られるトンネル磁気抵抗効果ヘッドを提供することにある。さらにはバイアス手段の選択のフレキシビリティに優れるトンネル磁気抵抗効果ヘッドを提供する。【解決手段】トンネルバリア層と、トンネルバリア層を挟むようにして形成された強磁性フリー層と強磁性ピンド層が積層されたトンネル多層膜を有するトンネル磁気抵抗効果型ヘッドであって、前記強磁性フリー層は、その長手方向両端部にそれぞれ接続配置されたバイアス付与手段によって、強磁性フリー層の長手方向にバイアス磁界が印加されており、当該強磁性フリー層の長手方向(バイアス磁界印加方向)の長さは、前記強磁性ピンド層の長手方向長さよりも大きく設定され、該強磁性フリー層は、その両端部に、前記強磁性ピンド層の長手方向両端部位置よりもさらに延長された拡張部位をそれぞれ備えなるように配置される。

Claim (excerpt)：

トンネルバリア層と、トンネルバリア層を挟むようにして形成された強磁性フリー層と強磁性ピンド層が積層されたトンネル多層膜を有するトンネル磁気抵抗効果型ヘッドであって、前記強磁性フリー層は、その長手方向両端部にそれぞれ接続配置されたバイアス付与手段によって、強磁性フリー層の長手方向にバイアス磁界が印加されており、当該強磁性フリー層の長手方向(バイアス磁界印加方向)の長さは、前記強磁性ピンド層の長手方向長さよりも大きく設定され、該強磁性フリー層は、その両端部に、前記強磁性ピンド層の長手方向両端部位置よりもさらに延長された拡張部位をそれぞれ備えなるように配置されることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果型ヘッド。

IPC (3)：

G11B 5/39 , G01R 33/09 , H01L 43/08

FI (3)：

G11B 5/39 , H01L 43/08 Z , G01R 33/06 R

F-Term (6)：

2G017AA02 , 2G017AA10 , 5D034BA05 , 5D034BA09 , 5D034BA15 , 5D034CA08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

磁気抵抗効果素子、再生ヘッド、および記録再生システム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-137621 Applicant：日本電気株式会社

Return to Previous Page