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J-GLOBAL ID：200903061082703017
シリコン単結晶の製造装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
八田 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994216319
Publication number (International publication number)：1996081294
Application date： Sep. 09, 1994
Publication date： Mar. 26, 1996
Summary：
【要約】【目的】 液の不純物汚染を回避しながら、結晶欠陥のきわめて少ない高品質のシリコン単結晶体を、効率よく安全に製造する。【構成】 中間チャンバ(2c)と加熱チャンバ(2a)との間には、坩堝(3)の外径より大きな内径を有するドーナツ型の水冷チャンバ(2d)を有し、この水冷チャンバ(2d)に、熱伝導率および熱輻射率の大きい物質から構成された第1スクリーン(22)を付設し、この第1スクリーン(22)は、前記水冷チャンバ(2d)の接触面積を大きくする環状リム部材(22a)と融解された原料の結晶界面が中間チャンバ(2c)の天井部(6a)に面し得るように下方に伸びているレッグ部材(22b)とを有する。【効果】 シリコン単結晶体と第1スクリーンとの輻射熱交換が効率良く行え、かつ、水冷チャンバから冷却水が漏れた場合であっても、高温のシリコン単結晶体あるいはシリコン融液表面に落下する可能性が低い。
Claim (excerpt)：
坩堝内に収容した原料を加熱ヒータにより加熱し融解する加熱チャンバと、前記坩堝から引き上げられた単結晶体を内部に収納する引上げチャンバと、前記加熱チャンバの上部と連結された側壁部、この側壁部から伸延し前記加熱チャンバの開口部を塞ぐ天井部、この天井部の中央部に位置し単結晶体を収容する収容部から構成された中間チャンバを有する単結晶体の製造装置において、前記中間チャンバの側壁部と前記加熱チャンバとの間に、前記坩堝の外径より大きな内径を有するドーナツ型の水冷チャンバを設け、この水冷チャンバに、熱伝導率および熱輻射率の大きい物質から構成されたスクリーンを付設し、このスクリーンは、前記水冷チャンバと大きな接触面積をもって取り付けられた環状リム部材と、前記融解された原料面の外部からの目視を邪魔しないように前記環状リム部材から傾斜して設けられかつ先端が前記融解された原料面と所定距離離間するように構成されたレッグ部材とを有することを特徴とするシリコン単結晶の製造装置。
IPC (3)：
C30B 15/00
, C30B 29/06 502
, H01L 21/208
