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J-GLOBAL ID：200903061128083477
半導体装置およびその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993273433
Publication number (International publication number)：1995130793
Application date： Nov. 01, 1993
Publication date： May. 19, 1995
Summary：
【要約】【目的】 狭ピッチで且つ熱膨張係数の著しく異なる半導体素子と基板を熱衝撃に対しても安定な実装方法と、安価な製造方法を提供する。【構成】 表面にバンプ電極が形成された半導体チップを、表面電極が形成された絶縁基板上に光あるいは熱エネルギーまたはその両者によって硬化する絶縁樹脂を塗布した後にフェースダウンで上記電極を接触させ加圧しながら上記絶縁樹脂を硬化する半導体チップの実装構造体において、両電極のいずれかにGaを主とする、他方にIn、Sn、Pbのいずれかを主とする金属を形成し、加圧によって当接した面で両金属が室温において合金を形成し液体化する半導体装置。
Claim (excerpt)：
表面にバンプ電極が形成された半導体チップを、表面に電極が形成された絶縁基板上に光あるいは熱エネルギーまたはその両者によって硬化する絶縁樹脂を塗布した後にフェースダウンで上記電極を接触させ加圧しながら上記絶縁樹脂を硬化する半導体チップの実装構造体において、絶縁基板上に形成された電極あるいは半導体チップ上に形成されたバンプ電極上のいずれかにGaを主成分とする金属を形成し、他方電極上にはIn、Sn、Pbのいずれかを主成分とする金属を形成し、当接された上記Gaを主成分とする金属と上記In、Sn、Pbのいずれかを主成分とする金属との両者が常温にて合金を形成し液体となることを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/321
