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J-GLOBAL ID：200903061130685450

薄膜生成装置

Inventor： 佐々木 隆興
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993178398
Publication number (International publication number)：1994275547
Application date： Jul. 20, 1993
Publication date： Sep. 30, 1994
Summary：

【要約】【目的】中空電極に負、対向電極に正の電圧を印加してグロー放電を発生させて化合物ガスを分解する薄膜生成装置で生成される膜質を改善する。【構成】中空電極に近接して成膜基板を接地することにより、膜形成前駆体の移動距離を短くしてポリマー構造的な膜形成を避けると共に、高密度のプラズマの影響が避けられ、膜質が向上する。そして、中空電極を用いることによる利点、すなわち最適条件での分解ができる利点は維持される。さらに、中空電極と成膜基板の間に熱源体を介在させることにより、ポリマー構造を分解して膜質を一層良くすることができる。

Claim (excerpt)：

反応室内に負の電圧の印加される筒状の中空電極と正の電圧の印加される対向電極とが、中空電極の内部空間が対向電極に向かって開口するように配置され、またその中空電極の内部空間に向かって化合物ガスの導入口が開口し、中空電極の反対向電極側に被成膜基体支持体が存在することを特徴とする薄膜生成装置。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50