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J-GLOBAL ID：200903061131837873

光半導体素子及びその製造方法

Inventor： 岸 博義
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 加藤 一男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994139470
Publication number (International publication number)：1995326823
Application date： May. 30, 1994
Publication date： Dec. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】TE波、TM波共に低反射率にでき、更に端面を保護する性能の高い光学膜を端面に持つ光半導体素子及びその製造方法である。【構成】端面に光学膜を施した光半導体素子1である。光学膜は、2層の誘電体薄膜2、3の組み合わせからなり、端面側の第1の薄膜2は窒化シリコン(SiNx)からなり、第2の薄膜3は、典型的にはSiO2である酸化シリコンからなる。

Claim (excerpt)：

端面に反射防止の光学膜を施した半導体レーザ構造を有する半導体光増幅器において、該光学膜は、2層の誘電体薄膜の組み合わせからなり、該半導体レーザ構造端面側の第1の薄膜は、屈折率が2.50〜2.65である窒化シリコン(SiNx)からなり、第2の薄膜はSiO2からなることを特徴とする光半導体素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00