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J-GLOBAL ID：200903061137335659
縦型電界効果トランジスタ及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995338589
Publication number (International publication number)：1997181309
Application date： Dec. 26, 1995
Publication date： Jul. 11, 1997
Summary：
【要約】【課題】 高速動作が可能なSi/SiGeヘテロ構造縦型電界効果型トランジスタ及びその製造方法を提供するものである。【解決手段】 ソース領域となるシリコン膜、チャネル領域となるSiGe膜、ドレイン領域となるシリコン膜が縦方向に配置されており、島状半導体層を形成している。島状半導体層の表面層に厚みが100オングストローム以下のシリコン層がエピタキシャル形成されており、前記シリコン層の表面にゲート酸化膜が、前記島状半導体層の側面にゲート電極が形成された構成になっている。
Claim (excerpt)：
シリコン基板上に形成されており第1導電型の不純物が添加されたソース層又はドレイン層となる第1の不純物層と、前記第1の不純物層の上に形成されており第2導電型の不純物が添加されたチャネル層となる第2の不純物層と、前記第2の不純物層の上に形成されており第1導電型の不純物が添加されたドレイン層又はソース層となる第3の不純物層と、前記第2の不純物層の側面にシリコン層とゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを備え、前記第2の不純物層が前記第1の不純物層に対してエピタキシャル成長したシリコンとゲルマニウムとの合金であることを特徴とする縦型電界効果トランジスタ。
FI (2)：
H01L 29/78 652 Z
, H01L 29/78 652 T
