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J-GLOBAL ID：200903061162283086

基板を被覆あるいはエッチングする装置

Inventor： マンフレート アーノルド ,  グイド ブラング ,  ライナー ゲーゲンヴァルト ,  ヨーヘン リッター ,  ヘルムート シュトール
Applicant, Patent owner： レイボルト アクチーエンゲゼルシャフト
Agent (1)： 鈴木 弘男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994004228
Publication number (International publication number)：1995070755
Application date： Jan. 19, 1994
Publication date： Mar. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、加工しようとしている基板を電極を通過させて案内するHFプラズマ構成において、基板に向かって荷電粒子を加速するに適した直流バイアス電圧を発生させるようにした基板を被覆あるいはエッチングする装置を提供することである。【構成】 本発明は基板を被覆またはエッチングする装置はプラズマ源がバイアス・ポット19,30,40を備え、このバイアス・ポットが基板キャリヤ11から暗黒部距離のところに配置され、HFの作用を受ける。使用した源に依存して、バイアス・ポットは独立ユニットとしても、あるいは、導通状態に構成された源の構成部品、たとえば、HFマグネトロンとしても構成し得る。この結合HFパワーを介して、キャリヤ上の交流電位、したがって、基板上のイオンボンバートメントを特別に設定し得る。

Claim (excerpt)：

少なくとも1つの上方制限壁(2)と1つの下方制限壁(3)とを包含するプロセス室(1)と、前記上下の制限壁(2、3)の間に配置したキャリヤ(11)と、該キャリヤ(11)の上側に配置した基板(14)と、前記プロセス室(1)の上方制限壁(2)の上に設けたプラズマ発生装置(4;34;43,44)とを備えた基板を被覆またはエッチングする装置において、前記キャリヤ(11)が前記制限壁(2、3)に対して変位可能であり、前記キャリヤ(11)と前記上方制限壁(2)との間にガス供給装置(15、16)が配置してあり、前記プラズマ発生装置(4;34;43、44)とそのすぐ上の基板(14)または前記キャリヤ(11)の間のボリュームがバイアス電圧ポット(19、30、40)によって取り囲まれており、前記バイアス電圧ポット(19、30、40)によって取り囲まれたボリュームがプラズマのみを包含し、前記バイアス電圧ポット(19、30、40)の下縁と前記基板(14)または前記キャリヤ(11)の表面との距離が暗黒部距離よりも小さく、前記バイアス電圧ポット(19、30、40)と電気的に接続した電圧源(9)が設けてあることを特徴とする基板を被覆またはエッチングする装置。

IPC (3)：

C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46