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J-GLOBAL ID：200903061163414036

イオン注入により導入された不純物原子を有する半導体構成要素及びその製造方法

Inventor： ヴォルフガング ヴォントラック ,  ヴェラ ラウアー ,  ナンド カミンスキー ,  ラバン ヘルト ,  ゲルハルト ペンスル ,  スコット ティー シェパード
Applicant, Patent owner： ダイムラー-ベンツ アクチエンゲゼルシャフト
Agent (1)： 矢野 敏雄 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1998510314
Publication number (International publication number)：1999512236
Application date： Jul. 23, 1997
Publication date： Oct. 19, 1999
Summary：

【要約】本発明は、イオン注入により導入された不純物原子を有し、この不純物原子が熱による回復工程によって電気的に活性化され、この際構成要素が回復工程直後に15nmより小さい中心粗度値Ra及び電気的に活性化されている注入不純物原子少なくとも10%を有する半導体構成要素に関する。

Claim (excerpt)：

イオン注入によりその表面に近い領域中に不純物原子を導入し、引き続きこの領域を回復工程で電気的に活性化することによる半導体構成要素の製造方法において、 イオン注入過程に引き続き、中間熱処理を調整段階として温度500°C〜1500°Cで一定時間実施し、かつこれに引き続いて回復工程を1500°Cを越える温度で実施することを特徴とする、 半導体構成要素の製造方法。

FI (2)：

H01L 21/265 602 A ,  H01L 21/265 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• SOI基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-062973   Applicant：三菱マテリアル株式会社, 三菱電機株式会社
• 半導体薄膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-145022   Applicant：ソニー株式会社