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J-GLOBAL ID：200903061184895832
半導体微粒子ドープガラスの製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
奈良 武
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992345459
Publication number (International publication number)：1994171957
Application date： Nov. 30, 1992
Publication date： Jun. 21, 1994
Summary：
【要約】【目的】 均一な硫化および半導体微粒子の粒径の均一化ができ、高い非線形光学定数を有するガラスを得る。【構成】 ゾル・ゲル法により半導体微粒子ドープガラスを製造する。ガラス骨格となるべき原料の他に、硫化水素またはイオウを発生する原料および硫化物が半導体としての性質を有することなるカチオンをゾルまたはゲル中に含有させる。また、半導体となるべき金属種以外の金属種を少なくとも1種含有させる。
Claim (excerpt)：
ゾル・ゲル法により半導体微粒子ドープガラスを製造するにあたり、ガラス骨格となるべき原料の他に、硫化水素またはイオウを発生する原料および硫化物が半導体としての性質を有することとなるカチオンをゾルまたはゲル中に含有させるとともに、半導体となるべき金属種以外の金属種を少なくとも1種含有させることを特徴とする半導体微粒子ドープガラスの製造方法。
IPC (3)：
C03B 8/02
, C01G 11/02
, G02F 1/35 505
