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J-GLOBAL ID：200903061185996004

半導体レーザ装置およびその製造方法

Inventor： ▲高▼山 徹 ,  内藤 浩樹 ,  粂 雅博 ,  伊藤 国雄
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993268719
Publication number (International publication number)：1994204609
Application date： Oct. 27, 1993
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 容易に作製できる低雑音の半導体レーザ装置を提供する。【構成】 半導体基板4の光出射側端面の光出射部3とその近傍を除いた他の領域上に、屈折率が基板結晶より低いアルミナ膜1aと、屈折率がアルミナより高いシリコン膜1bとを積層し形成した。そして、少なくとも光出射部3上にはさらにアルミナ膜1cを選択的に配置した。アルミナ膜1aとシリコン膜1bの膜厚を、レーザ光に対する反射率が3%以下になるように設定した。アルミナ膜1aとシリコン膜1bとを、所定の膜厚に対して約±1nmの範囲で制御することで、単層の誘電体膜を膜厚制御する場合と異なり、高い歩留まりが得られ、結晶表面における戻り光の反射光が光ピックアップに再入射することによるノイズの発生を抑制することができる。

Claim (excerpt)：

半導体レーザチップと、前記半導体レーザチップの光出射側端面の少なくとも光出射領域を除く他の領域上に形成された、屈折率が半導体結晶より小さい第1の誘電体膜と、前記第1の誘電体膜上に形成された、屈折率が前記第1の誘電体膜より高い第2の誘電体膜とを備え、前記光出射側端面の光出射領域を除く他の領域のレーザ光に対する反射率が3%以下に設定された半導体レーザ装置。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  G11B 7/125

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭62-230076
  
• 特開昭56-100488