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J-GLOBAL ID：200903061190210094

半導体の熱処理方法

Inventor： 岩崎 俊夫 ,  中靜 恒夫 ,  長谷部 政美 ,  小島 清
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社 ,  ニッテツ電子株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993188537
Publication number (International publication number)：1995041398
Application date： Jul. 29, 1993
Publication date： Feb. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、チョクラルスキー法(以下、CZ法)により製造されたシリコン単結晶を用いて、絶縁酸化膜の耐電圧特性(以下、酸化膜耐圧)を良好にする半導体の熱処理方法を提供することを目的とする。【構成】 上記目的を達成するために、本発明においては、任意のガス雰囲気中で、先に1200°C〜1400°Cで高温熱処理し、つづいて850°C〜1150°Cの温度域で熱処理を行う。好ましくは、先に1200°C〜1400°Cで高温熱処理した後、1200°C〜1150°Cの温度域を1°C/分〜20°C/分の速度で冷却し、室温に降温すること無く引き続き850°C〜1150°Cの温度域で熱処理を行う。

Claim (excerpt)：

チョクラルスキー法により製造されたシリコン単結晶を任意のガス雰囲気中で、先に1200°C〜1400°Cで高温熱処理し、つづいて850°C〜1150°Cの温度域で熱処理することを特徴とする半導体の熱処理方法。

IPC (5)：

C30B 33/02 ,  C30B 15/00 ,  C30B 15/14 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/324