Pat

J-GLOBAL ID：200903061191972672

相変化材料を備える電子デバイス

Inventor： マルティン、ハー.エル.ランクホルスト ,  リスベス、ファン、ピーターソン ,  ロベルトゥス、アー.エム.ボルタース ,  エルビン、エル.メインデルス
Applicant, Patent owner： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
Agent (6)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康 ,  関根 毅
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2005502598
Publication number (International publication number)：2006511971
Application date： Dec. 03, 2003
Publication date： Apr. 06, 2006
Summary：

電子デバイス(1,100)は、第1相と第2相の間で変化することが可能な相変化材料を備える抵抗器(7,250)を有するボディ(2,101)を持つ。抵抗器(7,250)は、相変化材料が第1相か第2相かに依存する電気抵抗を有する。抵抗器(7,250)は、第1相から第2相への遷移を可能にする電流を伝えることができる。相変化材料は、高速成長材料(fast growth material)であり、式Sb1-cMcの組成物としても良く、ここで、cは、0.05≦c≦0.61を満たし、Mは、Ge、In、Ag、Ga、Te、ZnおよびSnの群から選択された1つまたは複数の元素であり、あるいは、式SbaTebX100-(a+b)の組成物としても良く、ここで、a、bおよび100-(a+b)は、1≦a/b≦8および4≦100-(a+b)≦22を満たす原子百分率を表わし、Xは、Ge、In、Ag、GaおよびZnから選択された1つまたは複数の元素である。

Claim (excerpt)：

第1相と第2相の間で変化することが可能な相変化材料を備える抵抗器を有するボディを持つ電子デバイスであって、 前記抵抗器は、前記相変化材料が前記第1相か前記第2相かに依存する電気抵抗を有し、 前記抵抗器は、前記第1相から前記第2相への遷移を可能にする電流を伝えることができ、 前記相変化材料は、高速成長材料(fast growth material)である、ことを特徴とする電子デバイス。

IPC (2)：

H01L 45/00 ,  H01L 27/105

FI (2)：

H01L45/00 A ,  H01L27/10 448

F-Term (8)：

5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19