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J-GLOBAL ID：200903061194159239

プラズマ処理方法

Inventor：
末正 智希

About 末正 智希

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バイディア エヌ ビー

About バイディア エヌ ビー

, 
稲沢 剛一郎

About 稲沢 剛一郎


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 亀谷 美明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999296693
Publication number (International publication number)：2001118830
Application date： Oct. 19, 1999
Publication date： Apr. 27, 2001
Summary：
【要約】【課題】 有機ポリシロキサン膜の低誘電率特性を損なわずに該膜上のフォトレジスト膜を除去可能なプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】 プラズマ処理装置100の処理室102内に配された下部電極106上にウェハWを載置する。ウェハWには,Low-K材料の有機ポリシロキサン膜が形成されている。処理室102内にプラズマを生成し,有機ポリシロキサン膜上のフォトレジスト膜をマスクとしてエッチング処理を行い,有機ポリシロキサン膜に一部が露出する開口パターンを形成する。エッチング処理後,ウェハWは,そのまま処理室102内に配置される。処理室102内の圧力は,処理室102内への処理ガスの導入,および処理室102内のガスの排気により,30mTorr(4.00Pa)〜150mTorr(20.0Pa)に設定する。該圧力下で処理室102内のガスをプラズマ化し,フォトレジスト膜をアッシング処理する。
Claim (excerpt)：
処理室内に配置された被処理体に対し,前記被処理体に形成された有機ポリシロキサン膜上のフォトレジスト膜をマスクとしてプラズマエッチング処理を施し,前記有機ポリシロキサン膜の一部が露出するパターンを形成した後に,前記フォトレジスト膜を除去するプラズマ処理方法であって:前記処理室内に処理ガスを導入し,前記処理室内の圧力を30mTorr(4.00Pa)〜150mTorr(20.0Pa)に設定する工程と;前記圧力下で前記処理ガスをプラズマ化し,前記パターンが形成された前記被処理体の前記フォトレジスト膜を除去する工程と;を含むことを特徴とする,プラズマ処理方法。
IPC (2)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/027
FI (2)：
H01L 21/302 H ,  H01L 21/30 572 A
F-Term (16)：
5F004AA06 ,  5F004BA04 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BD01 ,  5F004CA01 ,  5F004CA02 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB26 ,  5F004EB03 ,  5F046MA12 ,  5F046MA18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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