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J-GLOBAL ID：200903061194621218

強誘電体材料および該材料をゲートとして用いたMFSFET

Inventor： 井上 俊春
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Agent (1)： 友松 英爾 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993156041
Publication number (International publication number)：1994350100
Application date： Jun. 02, 1993
Publication date： Dec. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明の目的は、ゲート上に形成する強誘電体薄膜材料としてBiとTiの酸化物を使用する場合に、該材料中にさらに特定のイオンあるいは原子を添加することによって、不安定性を低減し、デバイスとしての動作を安定向上させることができる強誘電体薄膜材料および該材料を使用したMFSFETを提供する点にある。【構成】 Ba、Ti酸化物とSr、Ti酸化物の固溶体(以下、BSTOという)に、該BSTOがn型の場合にはアクセプタとなりうる元素、また該BSTOがP型の場合にはドナーとなりうる元素を添加したもので構成されることを特徴とする強誘電体材料および該材料を使用したMFSFET。

Claim (excerpt)：

Ba、Ti酸化物とSr、Ti酸化物の固溶体(以下、BSTOという)に、該BSTOがn型の場合にはアクセプタとなりうる元素、また該BSTOがp型の場合にはドナーとなりうる元素を添加したもので構成されることを特徴とする強誘電体材料。

IPC (4)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  C01G 23/00 ,  H01L 29/62