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J-GLOBAL ID：200903061209084001

ドライエッチング終点検出方法

Inventor： 堀尾 正弘
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 西田 新
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992020250
Publication number (International publication number)：1993217954
Application date： Feb. 05, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 シリコン窒化膜のドライエッチングの制御性を向上し、その終点の検出の精度を高めるドライエッチング終点検出方法を提供する。【構成】 組成成分CHF3 /CF4 /Ar/O2 からなるガス雰囲気中で、シリコン酸化膜を下地膜とするシリコン窒化膜のプラズマドライエッチングを行う際に、下記の波長λの範囲(1),(2),(3) のいずれかの波長の発光強度をモニタし、その発光強度の減少する時点をエッチングの終点とする。3350Å≦λ≦3400Å・・・・(1)3550Å≦λ≦3600Å・・・・(2)3850Å≦λ≦3900Å・・・・(3)

Claim (excerpt)：

組成成分CHF3 /CF4 /Ar/O2 からなるガス雰囲気中で、シリコン酸化膜を下地膜とするシリコン窒化膜のプラズマドライエッチングを行う際に、下記の波長λの範囲(1),(2),(3) のいずれかの波長の発光強度をモニタし、その発光強度が減少する所定の時点を、上記プラズマドライエッチングの終点とするドライエッチング終点検出方法。3350Å≦λ≦3400Å・・・・(1)3550Å≦λ≦3600Å・・・・(2)3850Å≦λ≦3900Å・・・・(3)

IPC (2)：

H01L 21/302 ,  G01N 21/71