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J-GLOBAL ID：200903061232892239

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

Inventor： 田牧 真人 ,  小滝 正宏 ,  森 正樹
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991201306
Publication number (International publication number)：1993021846
Application date： Jul. 16, 1991
Publication date： Jan. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】 GaN 系の化合物半導体の発光ダイオードの青色の発光領域の部位における発光ムラをなくし、その発光強度を向上させること。【構成】 発光ダイオード10は同一面側にi層5の電極7と高キャリヤ濃度n+ 層3の電極8とを有し、i層5の電極7の周囲で電極間距離がほぼ等しくなるように高キャリヤ濃度n+ 層3の電極8が形成されている。これにより、発光ダイオード10の電極間を流れる電流を発光領域の部位に拘わらずほぼ同じとすることができる。従って、発光ダイオード10の青色の発光領域における発光ムラをなくすことができると共に発光強度を向上させることができる。

Claim (excerpt)：

n型の窒化ガリウム系化合物半導体(AlXGa1-XN;X=0を含む)から成るn層と、p型不純物を添加したi型の窒化ガリウム系化合物半導体(AlXGa1-XN;X=0を含む)から成るi層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、同一面側に前記n層の電極と前記i層の電極とを有し、一方の電極の周囲に他方の電極を形成したことを特徴とする半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭62-287675
  
• 特開昭55-009442