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J-GLOBAL ID：200903061251849123

集束イオンビーム装置の試片冷却システム

Inventor： 宋 仁 庸 ,  崔 哲 柊
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (1)： 磯野 道造
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004286936
Publication number (International publication number)：2005136389
Application date： Sep. 30, 2004
Publication date： May. 26, 2005
Summary：

【課題】簡単な構造で、優れた冷却効果が得られる、集束イオンビーム装置の試片冷却システムを提供する。【解決手段】反応チャンバー21と、前記反応チャンバー21の内部に設けられるステージ22と、前記ステージ22上部に装着されて前記試片25を定着させる試片ホルダー24と、前記試片ホルダー24に取り付けられ、前記反応チャンバー21の内部から外部に延設されて、集束イオンビーム装置による微細加工工程で前記試片25に発生する熱を前記反応チャンバー21の外部に伝達する熱伝達部材26と、前記反応チャンバー21の外部に延設された前記熱伝達部材26に連結され、前記熱伝達部材26により伝達された熱を吸収するヒートシンク28とを含む集束イオンビーム装置の試片冷却システム。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

集束イオンビーム装置の試片冷却システムにおいて、 反応チャンバーと、 前記反応チャンバーの内部に設けられるステージと、 前記ステージ上部に装着されて前記試片を定着させる試片ホルダーと、 前記試片ホルダーに取り付けられ、前記反応チャンバーの内部から外部に延設されて、集束イオンビーム装置による微細加工行程で前記試片に発生する熱を前記反応チャンバーの外部に伝達する熱伝達部材と、 前記反応チャンバーの外部に延設された前記熱伝達部材に連結され、前記熱伝達部材により伝達された熱を吸収するヒートシンクとを含むことを特徴とする集束イオンビーム装置の試片冷却システム。

IPC (2)：

H01L21/302 ,  H01J37/20

FI (2)：

H01L21/302 201B ,  H01J37/20 E

F-Term (6)：

5C001BB02 ,  5C001CC08 ,  5F004AA06 ,  5F004BA17 ,  5F004BB25 ,  5F004BD07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 米国特許第5,892,207号明細書