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J-GLOBAL ID：200903061252978253
多層導電膜のエッチング方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
上田 章三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995236167
Publication number (International publication number)：1997059787
Application date： Aug. 21, 1995
Publication date： Mar. 04, 1997
Summary：
【要約】【課題】 酸化インジウムを基材とし銀との固溶域を実質的に持たない元素の酸化物を含有する透明酸化物薄膜と銀系薄膜を積層して構成される多層導電膜を高精度にパターニングできるエッチング方法を提供すること。【解決手段】 ガラス板から成る基板1上に、透明酸化物薄膜21、銀系薄膜22、透明酸化物薄膜23を順次設けて多層導電膜2を形成し、この上にエッチングレジスト3を設け、希硫酸に硝酸を加えて調製したエッチャントを適用してエッチングすることを特徴とする。このエッチャントに含まれる硝酸が銀系薄膜を好適に溶解してエッチングすると共に硫酸が上記透明酸化物薄膜を好適に溶解してエッチングする。このため上記多層導電膜を良好にエッチングでき、残滓とサイドエッチングが抑制されてそのパターン精度を向上させることが可能となる。
Claim (excerpt)：
銀系薄膜と、酸化インジウムを基材とし銀との固溶域を実質的に持たない元素の酸化物を含有する透明酸化物薄膜とを積層して構成される多層導電膜のエッチング方法において、上記多層導電膜のエッチャントが、硫酸と硝酸を主成分としていることを特徴とする多層導電膜のエッチング方法。
IPC (3)：
C23F 1/00 103
, C23F 1/16
, C23F 1/44
C23F 1/00 103
, C23F 1/16
, C23F 1/44
