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J-GLOBAL ID：200903061254979117

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 八木 行広
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997302340
Publication number (International publication number)：1999145393
Application date： Nov. 05, 1997
Publication date： May. 28, 1999
Summary：

【要約】【課題】 高精度なアナログ処理回路を備えた半導体装置を実現する。【解決手段】 半導体装置1を、アナログ処理回路としてのD/A変換回路2と、カレントミラー回路3と、その他の回路4とにより構成する。カレントミラー回路3を、第1のトランジスタ12と、第2のトランジスタ13とにより構成する。第1のトランジスタ12のドレイン端子14に定電流源を、第2のトランジスタ13のドレイン端子17に定電圧源をそれぞれ接続し、第2のトランジスタ13のドレイン端子17に、第2のトランジスタ13が飽和領域となる電圧以上の電圧を印加して、第2のトランジスタ13に流れる電流値を測定する。そして、定電流源の電流値と、測定された第2のトランジスタ13に流れる電流値との比(ミラー比)のずれを測定し、その測定結果に基づいて、以降の製造工程において半導体装置1の電気的特性を変更する。

Claim (excerpt)：

内部にアナログ処理回路を備えた半導体装置であって、第1のトランジスタと第2のトランジスタとからなり、前記半導体装置の製造工程中に電気的に測定可能なカレントミラー回路を少なくとも1つ備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H03F 3/343

FI (2)：

H01L 27/04 U ,  H03F 3/343