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J-GLOBAL ID：200903061257213212

薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタ用半導体材料

Inventor： ハワード エダン カッツ ,  ジョイス ジー.ラクインダナム
Applicant, Patent owner： ルーセント テクノロジーズ インコーポレーテッド
Agent (1)： 岡部 正夫 (外11名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998295074
Publication number (International publication number)：1999195790
Application date： Oct. 16, 1998
Publication date： Jul. 21, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 薄膜TFTに要求される特性を満たした有機半導体材料及びこれを用いた薄膜TFTを提供する。【解決手段】 活性層が有機半導体層である薄膜トランジスタである。活性層の構造は、6員環、縮合芳香族環を二つもしくは三つ有し、5員環の複素芳香族環が縮合されたものである。5員環は、置換されていてもよい。置換される場合、置換基は、炭素原子を約2〜約18有するアルキル基またはアルコキシアルキル基である。有機半導体化合物の電界効果移動度は、10-3cm2 /Vsより大きく、導電率は約10-6S/cmより低い。これらの材質から得られる薄膜フィルムデバイスのオン/オフ比は、少なくとも約100である。

Claim (excerpt)：

薄膜トランジスタであって、有機半導体化合物層が形成されているとともにこの有機半導体化合物層を通じて電流を流すための接点を備えた基板を有し、前記有機半導体化合物は、以下に示される構造もしくはその異性体の構造を有し、【化1】前記有機半導体化合物は、置換されていてもよく、上記構造で、Xは、酸素、アミン、又は硫黄であり、かつ、前記有機半導体化合物の電界効果移動度は、約10-3cm2 /Vsより大きく、その導電率は、20°Cで約10-6S/cmより小さく、かつ、前記薄膜トランジスタのソースドレイン電流のオン/オフ比は、少なくとも約100であることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  H01L 51/00

FI (2)：

H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/28