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J-GLOBAL ID：200903061285977015
スパッタリング方法,スパッタリング装置,真空処理装置および熱電対
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992268862
Publication number (International publication number)：1994116722
Application date： Oct. 07, 1992
Publication date： Apr. 26, 1994
Summary：
【要約】【目的】 スパッタリング方法を、反応性ガスの逆流および拡散を防止し、均一な成膜が行えるようにする。【構成】 スパッタリング装置1では、第1の自動圧力制御器28および第2の自動圧力制御器38により、第1の成膜室20内の圧力P1 は第2の成膜室30内の圧力P2 よりも常に高く保たれている。また、反応性ガスRをオリフィス39からゲート部50と反対側に向けて噴射するとともに、オリフィス39と互いに対向する位置に設けられた排気口341 から反応性ガスRを排気する。
Claim (excerpt)：
長尺基板をその長手方向に搬送しながら第1の成膜室,ゲート部および第2の成膜室を順次通過させ、前記第1の成膜室で第1のスパッタリングガスを用いて前記長尺基板上に第1の膜を堆積し、前記第2の成膜室で第2のスパッタリングガスおよび反応性ガスを用いて前記長尺基板上に第2の膜を堆積するスパッタリング方法において、前記第1の成膜室内の圧力を前記第2の成膜室内の圧力よりも高く保ち、前記第2の成膜室の前記ゲート部側から該ゲート部と反対側に向けて前記反応性ガスを噴射させ、前記第2の成膜室の前記ゲート部と反対側の、前記反応性ガスを噴射させる位置と互いに対向する位置から前記第2の成膜室内を排気することを特徴とするスパッタリング方法。
IPC (3)：
C23C 14/34
, C23C 14/56
, H01L 31/04
Cited by examiner (9)
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