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J-GLOBAL ID：200903061298368174
導波路型光変調器
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
雨宮 正季
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992250674
Publication number (International publication number)：1994075256
Application date： Aug. 26, 1992
Publication date： Mar. 18, 1994
Summary：
【要約】【目的】 大きな一次電気光学効果を示す有機高分子材料からなる単一モード導波路構造を形成し、低損失で低電圧駆動の光変調器を提供する。【構成】 最上部(もしくは下部の酸化シリコン膜)上に金属からなるコプレーナ電極11を配した構造をとる光変調器において、一次電気光学効果を示す有機高分子材料をコア層8材料に用い、周囲のクラッド層7、9、10材料との比屈折率差を最適化して単一モード導波路とし、かつ下部の酸化シリコン膜(もしくは上部クラッド層)上に別の接地電極6を設けることで電界の閉じ込めを強くして、低電圧で変調動作を行なうことを特徴とする。【効果】 一次電気光学効果が大きな有機高分子材料をチャネル導波路層材料に用い、周囲のクラッド層材料との比屈折率差を最適化して単一モード導波路とし、かつコプレーナ線路型電極の電界の閉じ込めを大きくするために、別に接地電極を設けている。さらに、上下の電極間を狭くしているために、極めて低い駆動電圧で変調動作を実現できる。
Claim (excerpt)：
酸化シリコン膜を上部に形成したシリコン基板上に、二次光非線形感受率の大きな物質が溶解している、もしくは結合している高分子を分極処理した材料からなるチャネル導波路層と、この導波路層の左右および上下に、導波路層よりも低屈折率なクラッド層を配し、該上部クラッド層の上に金属からなるコプレーナ線路型電極を配した構造をとる導波路型光変調器において、下部の酸化シリコン膜上に、金属からなる下部接地電極を配したことを特徴とする導波路型光変調器。
IPC (3)：
G02F 1/35 504
, G02B 6/12
, G02F 1/035
