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J-GLOBAL ID：200903061303749262

プラズマ処理装置

Inventor： 今福 光祐
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン山梨株式会社
Agent (1)： 浅井 章弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992157469
Publication number (International publication number)：1993326410
Application date： May. 25, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】 電極と容器内壁との間に生ずる放電現象を抑制する。【構成】 処理容器2内に相対向させて2つの電極4、6を平行に配置し、一方の電極4に高周波電力を印加してプラズマを発生させる。そして、上記電極4の外周側の近傍に、この電極4に対して逆極性となる補助電極20を形成し、電極4と容器内壁との間で従来発生していた不要な放電をこの電極4と補助電極20との間で発生させるようにし、プラズマ立ち上げ時の放電系のインピーダンスを迅速に安定化させ、処理効率を向上させる。

Claim (excerpt)：

相対向させて配置された2つの電極のいずれか一方に被処理体を保持させると共に前記2つの電極間に高周波電力を印加して前記被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記2つの電極のいずれか一方の電極の外周側の近傍に、内側に位置する電極に対して逆極性となる補助電極を形成したことを特徴とするプラズマ処理装置。