Pat

J-GLOBAL ID：200903061318984250

強誘電体結晶薄膜被覆基板及び該基板を含む強誘電体薄膜素子及び該強誘電体薄膜素子の製造方法

Inventor： 松永 宏典 ,  木場 正義
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 川口 義雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994136111
Publication number (International publication number)：1996008403
Application date： Jun. 17, 1994
Publication date： Jan. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 Bi4 Ti3 O12強誘電体結晶薄膜の強誘電特性の信頼性を向上させた強誘電体結晶薄膜被覆基板及びこの基板を用いたデバイスの提供。【構成】 基板上の電極上に、Bi4 Ti3 O12強誘電体結晶薄膜が形成された強誘電体結晶薄膜被覆基板において、該電極として導電性酸化物薄膜を用いた。導電性酸化物として、RuO2 、Bi2 Ru2 O7-x 又はその組み合わせを使用する。また、こうして作成した基板を用いて強誘電体薄膜素子を形成する。

Claim (excerpt)：

基板上の電極上に、Bi4 Ti3 O12強誘電体結晶薄膜が形成された強誘電体結晶薄膜被覆基板であって、該電極として導電性酸化物薄膜を用いることを特徴とする強誘電体結晶薄膜被覆基板。

IPC (8)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  C01G 55/00 ,  C23C 14/08 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 29/84

FI (2)：

H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 325 J