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J-GLOBAL ID：200903061321757175

記憶装置

Inventor： 高野 洋
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 恩田 博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995189589
Publication number (International publication number)：1996111100
Application date： Jul. 25, 1995
Publication date： Apr. 30, 1996
Summary：

【要約】【課題】歩留りを向上させることが可能な記憶装置を提供する。【解決手段】16MビットDRAM111は、隣合う4つの4Mビットブロック(4MビットDRAM)121〜124によって構成されている。そして、各ブロック121〜124毎に上記実施形態の回路が組み込まれており、各ブロック121〜124で個別に不良アドレスの救済が行われる。各ブロック121〜124が全て救済可能(良品)であった場合には、実線αで切り離し、各ブロック121〜124における入出力(I/O )パッド以外のパッドを組み立て段階で接続する。これにより、各ブロック121〜124を組み合わせた16MビットDRAM111として製品化することができる。

Claim (excerpt)：

ウェハ上に配置された隣合う任意の数のマクロブロックを組み合わせることで所定の記憶容量を得る記憶装置。

IPC (2)：

G11C 29/00 301 ,  G11C 11/401