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J-GLOBAL ID：200903061331574753

半導体レーザ装置

Inventor： 瀧口 透 ,  後藤 勝彦
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993315717
Publication number (International publication number)：1995170022
Application date： Dec. 16, 1993
Publication date： Jul. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】 発光効率が高く,変調帯幅が広い半導体レーザ装置を得る。【構成】 多重量子井戸半導体レーザ装置において、バリア層13のエネルギーギャップを、MQWの中央で一番大きく、MQWの両端に向かって順次小さくなるものとする。また、バリア層13の厚さは、MQW中央で一番厚く、MQWの両端に向かって順次薄くなるものとする。また、バリア層13を基板よりその格子定数を小さくしてバリア層に引張り歪を加え、そのエネルギーギャップがMQW中央で一番大きく、MQWの両端に向かって順次小さくなるものとする。また、バリア層13に引張り歪を加え、その厚さを、MQW中央で一番厚く、MQWの両端に向かって順次薄くなるものとする。また、バリア層の引張り歪量を、MQW中央で一番小さく、MQWの両端に向かって順次大きくなるものとする。

Claim (excerpt)：

半導体レーザ装置において、複数のウェル層と、該複数のウェル層間に配置されたバリア層とからなる多重量子井戸(MQW)構造の活性層を有し、上記バリア層のエネルギーギャップは、上記MQWの中央で一番大きく、MQWの両端に向かって順次小さくなるものであることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01S 3/103