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J-GLOBAL ID：200903061339059939

半導体装置

Inventor： 山本 宗是
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田自動織機製作所
Agent (1)： 大菅 義之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992340398
Publication number (International publication number)：1994188376
Application date： Dec. 21, 1992
Publication date： Jul. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 トランジスタ素子を高速スイッチング用として使用するためのドライブ回路をモノリシックに集積化し、さらに電圧で容易にドライブできるようにする。【構成】 N+ 型エミッタ領域28とこれを取り囲むP型ベース電極領域25,26とP- 型ベース領域27とN+ 型コレクタ領域2を有するスイッチングトランジスタSWT2 と、N+ 型コレクタ領域2をドレイン領域としN+ 型ソース領域10がSWT2 のP型ベース電極領域26に接続されてSWT2 とはダーリントン接続される縦型NチャネルMOSFETと、SWT2 のP型ベース電極領域25をソース領域としP型ドレイン領域12がSWT2 のN+ 型エミッタ領域28に接続されゲート電極33cが縦型NチャネルMOSFETのゲート電極33bに接続される横型PチャネルMOSFETと、をモノリシックに集積化する。

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体基板の一方の表面部に第1導電型の半導体からなるエミッタ領域と、該エミッタ領域を取り囲むように設けられた第2導電型の半導体からなるベース電極領域とを有し、前記半導体基板をコレクタ領域とするスイッチング素子と、前記半導体基板をドレイン領域とし、そのソース領域が前記スイッチング素子のベース電極領域に接続されて、前記スイッチング素子とはダーリントン接続される縦型MOSFETと、前記スイッチング素子のベース電極領域をそのソース領域とし、そのドレイン領域が前記スイッチング素子のエミッタ領域に接続され、そのゲート電極が前記縦型MOSFETのゲート電極に接続された前記縦型MOSFETとはチャネルが反対型の横型MOSFETと、から成る半導体装置。

IPC (3)：

H01L 27/088 ,  H01L 29/784 ,  H03K 17/56

FI (2)：

H01L 27/08 102 E ,  H01L 29/78 321 C