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J-GLOBAL ID：200903061341430610

半導体メモリ

Inventor： 広中 克行 ,  網 隆明 ,  渡部 浩司 ,  町田 暁夫
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995138193
Publication number (International publication number)：1996330538
Application date： Jun. 05, 1995
Publication date： Dec. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】 電極形成面と電極との密着性を改善した半導体メモリを提供する。【構成】 白金または白金合金による電極層8が形成される半導体メモリにおいて、白金または白金合金による電極層8下にパラジウム、ルテニウム、オスミウム、イリジウム、ロジウム単体あるいはこれらのうち2種類以上を含む合金よりなる下地層21を被着形成する。

Claim (excerpt)：

白金または白金合金による電極層が形成される半導体メモリにおいて、上記白金または白金合金による電極層下に、パラジウム、ルテニウム、オスミウム、イリジウム、ロジウム単体あるいはこれらのうち2種類以上を含む合金よりなる下地層を被着形成したことを特徴とする半導体メモリ。

IPC (8)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  G11C 11/22 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451 ,  C23C 14/08

FI (6)：

H01L 27/10 651 ,  G11C 11/22 ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 27/10 451 ,  C23C 14/08 N ,  H01L 27/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 強誘電体コンデンサ及びその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-099773   Applicant：ラムトロン・インターナショナル・コーポレーション