光電変換装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：芝野正雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001298576
Publication number (International publication number)：2003101049
Application date： Sep. 27, 2001
Publication date： Apr. 04, 2003
Summary：

【要約】【目的】光電変換素子の静電気破壊が防止できると共に、光電変換素子の使用時には、端子間の導電が容易に解除できる。【構成】光電変換素子1の出力端子3間に半田材料のブリッジ部5bを配置して、端子3間が短絡されている。そして、光電変換素子1を、配線基板10上に配置するときには、配線基板の入力端子12a、12bの面積が、光電変換素子1の出力端子3の面積より大きいことより、加熱時、半田材料が一つの固まりになり広がるので、溶融した出力端子3間の半田材料が途切れてなくなった状態で、固定される。また、光電変換素子1を、配線基板20上に配置するときには、配線基板20の入力端子22a、22bの間に位置する凸部26により、溶融した出力端子3間の半田材料が途切れた状態で、固定される。よって、光電変換素子1を、配線基板上に配置することで、特に別工程を設けることなく、出力端子間の半田材料をなくすことができる。

Claim (excerpt)：

一方の面上に一対の出力端子を備える板状の光電変換素子を、前記出力端子に対応する一対の入力端子と該端子から延出する配線を有する配線基板上に、固定する光電変換装置の製造方法において、前記光電変換素子における前記出力端子の面積より、前記配線基板の前記入力端子の面積の方が、大きく、前記光電変換素子における前記出力端子の間に、保護膜を配置する工程と、前記光電変換素子における前記出力端子上及び前記出力端子間の前記保護膜上にまたがって半田材料を配置する工程と、前記配線基板の前記入力端子上に、半田材料を配置する工程と、前記配線基板の前記一対の入力端子上に、前記光電変換素子の前記一対の出力端子を当接させた状態で加熱する工程とを、備えることを特徴とする光電変換装置の製造方法。

F-Term (6)：

5F051AA05 , 5F051BA11 , 5F051CB13 , 5F051DA04 , 5F051FA10 , 5F051GA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭63-076354
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-219537 Applicant：住友電気工業株式会社
特開昭62-169456

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